Patenta nû ya Apple-ê ya ji bo pergala depokirina hîbrîdê tê eşkere kirin!

digitimes raporek ji Hardware Tom vegot û diyar kir ku bi pêşveçûna domdar a DRAM re, ji ber armancên sepanê yên cuda sêwirana DRAM tevlihev bûye. Sêwiranên ku li ser baştirkirina tîrbûn / kapasîteya depokirinê disekinin, mêldarê kêmkirina (an jî qet nebe) zêdekirina bandê ne, lê sêwiranên ku firehiya bandê zêde dikin dibe ku kapasîte û karîgeriya enerjiyê kêm bikin (an jî herî kêm zêde nebin). Ji bo sêwiranerên SoC, çawa di navbera bera firehiya depo, kapasîte, mezaxtina hêzê û lêçûnê de bersiva daxwazên serlêdana çîp çêdibe ku bibe hevkêşeyek mezin.

Sîstema depokirina hîbrîd a Apple li ser bingeha teknolojiya xweya nû ya patentkirî dikare bi kêmî ve du cûre depoyên DRAM-ê vehewîne (ji bo nimûne, yek DRAM-tîrêjê ye, ya din jî tîrêjiya kêm, an dereng-kêm û band-fireh DRAM). Ev dibe alîkar ku meriv karûbarê enerjiyê-efektîv bi dest bixe û kapasîteya depoyê ya ji bo amûrên desta û amûrên din ên ku mezaxtina hêzê û rêjeya karîgerî-hêzê wekî mifte dibînin zêde bike.

Tê ragihandin ku patent karanîna gelek teknolojiyên pevgirêdanê wekî bi navgîniya (silikon) bi riya (TSV) ve tête diyar kirin ku çend pergalên hilanîna hîbrîd ku DRAM-kaşeya bilez-leza û DRAM-a sereke li hev dikin, pêk bîne. Wekî din, serîlêdana patentê SoC digire, ne pêveroja PC-yê.

Apple serîlêdanên patenta navborî li Nivîsgeha Patenta Ewropî (EPO), û hem jî saziyên birêkûpêkkirina patentê li Dewletên Yekbûyî, Çîn û Japonya tomar kir.